发明授权
- 专利标题： 切割膜和切割晶片粘合膜
-
申请号： CN201480031647.9申请日： 2014-12-29
-
公开(公告)号： CN105264033B公开(公告)日： 2018-05-18
- 发明人: S·R·金 , 曹正镐 , 金荣国 , 金熹正 , 李光珠 , 金丁鹤 , 南承希
- 申请人： 株式会社LG化学
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： 株式会社LG化学
- 当前专利权人： 株式会社LG化学
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 顾晋伟
- 优先权： 10-2014-0000912 2014.01.03 KR
- 国际申请： PCT/KR2014/012981 2014.12.29
- 国际公布： WO2015/102342 KO 2015.07.09
- 进入国家日期： 2015-12-02
- 主分类号： C09J7/20
- IPC分类号： C09J7/20 ; C09J133/04 ; C09J163/00 ; H01L21/301
摘要：
本发明涉及一种切割膜，其包括:基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，所述粘合层的交联度为80％至99％，还涉及一种包括所述切割膜的切割晶片粘合膜、及使用所述切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。
公开/授权文献
- CN105264033A 切割膜和切割晶片粘合膜 公开/授权日：2016-01-20
