发明授权
CN105206427B MoN纳米材料及对电极的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: MoN纳米材料及对电极的制备方法
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申请号: CN201510616316.8申请日: 2015-09-24
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公开(公告)号: CN105206427B公开(公告)日: 2017-10-31
- 发明人: 齐立红 , 武彩云 , 尹卓勋
- 申请人: 哈尔滨工程大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室
- 专利权人: 哈尔滨工程大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工程大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室
- 主分类号: H01G9/042
- IPC分类号: H01G9/042 ; H01M14/00 ; H01L31/0224
摘要:
本发明提供的是一种MoN纳米材料及对电极的制备方法。利用水热法制备MoO3纳米带;在MoO3纳米带基础上,加入苯胺和过硫酸铵利用冷水浴法制备MoO3·PANI;将所得的MoO3·PANI在NH3条件下以退火处理,得到MoN纳米材料。将MoN纳米材料与松油醇按混合并超声搅拌,把所得的浆料用刮涂法涂在导电玻璃上,在氩气条件下退火处理得到用于组装的对电极。本发明方法成功实现了MoN纳米材料的制备,并且以此MoN纳米材料制备了对电极,该种染料敏化太阳能电池的光电转换效率较高,且适合于工业化生产。
公开/授权文献
- CN105206427A MoN纳米材料及对电极的制备方法 公开/授权日:2015-12-30