- 专利标题: 射频集成电路(RFIC)充电器件模型(CDM)保护
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申请号: CN201480014492.8申请日: 2014-03-10
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公开(公告)号: CN105190886B公开(公告)日: 2019-09-10
- 发明人: P·S·S·古德姆 , H·卡特里 , D·V·歌德博尔 , E·R·沃莱
- 申请人: 高通股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 唐杰敏
- 优先权: 13/841,239 2013.03.15 US
- 国际申请: PCT/US2014/022816 2014.03.10
- 国际公布: WO2014/150280 EN 2014.09.25
- 进入国家日期: 2015-09-11
- 主分类号: H01L27/02
- IPC分类号: H01L27/02 ; H02H9/04 ; H03F1/52
摘要:
描述了一种装置。该装置包括输入器件。该装置还包括正供电电压焊盘。该装置进一步包括输入信号焊盘。该装置还包括接地焊盘。该装置进一步包括保护输入器件免受静电放电的充电器件模型保护电路系统。充电器件模型保护电路系统包括de‑Q电路系统和共源共栅器件中的至少一者。
公开/授权文献
- CN105190886A 射频集成电路(RFIC)充电器件模型(CDM)保护 公开/授权日:2015-12-23
IPC分类: