发明授权
- 专利标题： 碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法
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申请号： CN201480009593.6申请日： 2014-01-13
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公开(公告)号： CN105074059B公开(公告)日： 2017-09-29
- 发明人: 近藤宏行 , 恩田正一 , 木藤泰男 , 渡边弘纪
- 申请人： 株式会社电装
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 刘凤岭; 陈建全
- 优先权： 2013-031239 20130220 JP
- 国际申请： PCT/JP2014/000100 2014.01.13
- 国际公布： WO2014/129103 JA 2014.08.28
- 进入国家日期： 2015-08-20
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36
摘要：
本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶，将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11‑20＞的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大，可能导致漏电流的发生，因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm2以下，优选设定为100个/cm2以下，由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。
公开/授权文献
- CN105074059A 碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法 公开/授权日：2015-11-18
IPC分类:
