发明公开
CN105021637A 基于EBSD花样确定晶体倒易初基胞基矢的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 基于EBSD花样确定晶体倒易初基胞基矢的方法
- 专利标题(英): Method for determining crystal reciprocity primitive cell basis vector based on EBSD pattern
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申请号: CN201510479294.5申请日: 2015-08-03
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公开(公告)号: CN105021637A公开(公告)日: 2015-11-04
- 发明人: 韩明 , 李丽丽 , 罗红林 , 熊光耀 , 万怡灶
- 申请人: 华东交通大学
- 申请人地址: 江西省南昌市经济技术开发区双港东大街808号
- 专利权人: 华东交通大学
- 当前专利权人: 华东交通大学
- 当前专利权人地址: 江西省南昌市经济技术开发区双港东大街808号
- 代理机构: 北京市科名专利代理事务所
- 代理商 陈朝阳
- 主分类号: G01N23/203
- IPC分类号: G01N23/203
摘要:
本发明公开了一种基于EBSD花样确定晶体倒易初基胞基矢的方法,利用花样中心PC和探头距离DD几何修正菊池带,得出菊池带对应的倒易矢量,确定菊池带对应的倒易矢量在三维倒易空间中的分量,并由此导出倒易初基胞基矢;采用本发明提出的方法,可以有效地排除虚假的晶胞信息,在菊池带宽度误差较大的情况下,正确地识别出初基胞的体积,并确定初基胞的基矢。
公开/授权文献
- CN105021637B 基于EBSD花样确定晶体倒易初基胞基矢的方法 公开/授权日:2017-07-04