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发明公开
CN104952939A 一种金属-绝缘体-金属电容结构 有权

一种金属-绝缘体-金属电容结构
摘要：
本发明涉及一种金属-绝缘体-金属电容结构，包括上极板、下极板以及位于所述上极板和所述下极板之间的电介质，其中所述上极板和所述下极板为具有多个间隔设置部分的非平面板状结构。其中所述电容结构选用金属层-绝缘层-金属层的结构，在所述结构中所述上极板和所述下极板不再选用大面积的板状结构，而是由多个部分相互连接而成，从而避免了在所述电容上方形成介电层时形成山脊状突起（hill-shape）的问题，而且所述多个部分之间相互间隔设置，在所述电容结构的上方形成层间介电层时不会形成凸起，在形成通孔或者其他图案时不会引起缺陷，可以提高器件的良率。
摘要（英）：

The invention relates to a metal-insulator-metal capacitor structure. The metal-insulator-metal capacitor structure includes an upper pole plate, a lower pole plate and electric medium disposed between the upper pole plate and the lower pole plate. The upper pole plate and the lower pole plate are each of a non-planar plate structure having a plurality of parts arranged in a spaced manner. The capacitor structure adopts a metal-insulator-metal layer structure. In the metal-insulator-metal layer structure, the upper pole plate and the lower pole plate do not adopt large-area plate structures and are formed by mutual connection of the different parts, so that hill-shaped projection is avoided when a dielectric layer is formed above the capacitor structure. Besides, the parts are arranged in a spaced manner, so that no bosses are formed when the interlayer dielectric layer is formed above the capacitor structure and no pits are formed when a through hole or other patterns are formed. Therefore, device yield can be improved.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92 ...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
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