• 专利标题: 基于硅基低漏电流双悬臂梁可动栅或非门的RS触发器
  • 申请号: CN201510379369.2
    申请日: 2015-07-01
  • 公开(公告)号: CN104935297B
    公开(公告)日: 2017-06-09
  • 发明人: 廖小平严嘉彬
  • 申请人: 东南大学
  • 申请人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
  • 专利权人: 东南大学
  • 当前专利权人: 东南大学
  • 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
  • 代理机构: 南京瑞弘专利商标事务所
  • 代理商 杨晓玲
  • 主分类号: H03K3/012
  • IPC分类号: H03K3/012
基于硅基低漏电流双悬臂梁可动栅或非门的RS触发器
摘要:
本发明的基于硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOSFET或非门的RS触发器,原理和结构简单,由基于Si基低漏电流双悬臂梁可动栅MOSFET实现的或非门电路构成RS触发器,降低成本的同时减小了功耗。由于悬臂梁结构在非工作状态时的漏电流极低,有效地降低了功耗。在MOSFET沟道上方对称设计的两个悬臂梁作为可动栅极,在悬臂梁下方各有一个下拉电极,下拉电极上覆盖着一层绝缘的氮化硅介质层。当MOSFET两个输入为低电平时,悬臂梁都处于悬浮状态,MOSFET处于非导通状态,漏极输出为高电平;当至少一个输入端为高电平时,高电平对应的悬臂梁被下拉,此时MOSFET处于导通状态,漏极输出为低电平,从而实现了或非门逻辑功能。
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