发明授权
- 专利标题： 一种半导体器件的制造方法
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申请号： CN201410103866.5申请日： 2014-03-19
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公开(公告)号： CN104934530B公开(公告)日： 2018-09-21
- 发明人: 张超
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京市磐华律师事务所
- 代理商 董巍; 高伟
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00
摘要：
本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体存储技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，将形成双沟槽隔离结构的工艺集成在标准的CMOS工艺之中，简化了半导体器件的制造工艺；并且，通过先形成浅沟槽隔离后形成深沟槽隔离的工艺优化，降低了在形成浅沟槽隔离的过程中内核区域与外围区域之间的刻蚀负载效应，提高了半导体器件的良率。
公开/授权文献
- CN104934530A 一种半导体器件的制造方法 公开/授权日：2015-09-23
IPC分类:
