Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置
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Application No.: CN201380070544.9Application Date: 2013-12-20
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Publication No.: CN104919577BPublication Date: 2017-11-21
- Inventor: 岛崎洸一 , 广濑嘉胤
- Applicant: 精工半导体有限公司
- Applicant Address: 日本千叶县
- Assignee: 精工半导体有限公司
- Current Assignee: 艾普凌科有限公司
- Current Assignee Address: 日本千叶县
- Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
- Agent 李辉; 黄纶伟
- Priority: 2013-007153 2013.01.18 JP
- International Application: PCT/JP2013/084288 2013.12.20
- International Announcement: WO2014/112293 JA 2014.07.24
- Date entered country: 2015-07-15
- Main IPC: H01L21/336
- IPC: H01L21/336 ; H01L21/822 ; H01L21/8234 ; H01L27/04 ; H01L27/06 ; H01L27/088 ; H01L29/78
Abstract:
为了提供ESD耐受能力高的半导体装置，多个源布线(22)分别由相同形状的金属膜构成，使多个源(12)分别与接地电压布线(22a)电连接，多个漏布线(23)分别由相同形状的金属膜构成，使多个漏(12)分别与输入电压布线(23a)电连接，多个栅布线(21)分别由相同形状的金属膜构成，使多个栅(11)分别与接地电压布线(22a)电连接。而且，背栅布线(24)由金属膜构成，使背栅(14)与接地电压布线(22a)电连接，背栅布线(24)从源(12)上的源布线(22)分离。
Public/Granted literature
- CN104919577A 半导体装置 Public/Granted day:2015-09-16
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IPC分类:
