发明授权
CN104916601B 半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
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申请号： CN201510104375.7申请日： 2015-03-10
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公开(公告)号： CN104916601B公开(公告)日： 2017-12-15
- 发明人: 中原贤太 , 吉田博
- 申请人： 三菱电机株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 何立波; 张天舒
- 优先权： 2014-045924 2014.03.10 JP
- 主分类号： H01L23/367
- IPC分类号： H01L23/367 ; H01L23/40
摘要：
提供一种半导体装置，其能够得到与冷却器的良好的热学以及机械连接。基座板(1)具有：安装面(SM)，在安装面(SM)安装有半导体元件(4)；以及散热面(SR)，其用于向冷却器散热。包覆部(110)具有在基座板(1)的安装面(SM)上对半导体元件(4)进行封装的部分。包覆部(110)具有凸出部分(110P)，该凸出部分(110P)配置于散热面(SR)的外侧，在厚度(DT)方向上比散热面(SR)凸出。介质部(200)设置于基座板(1)的散热面(SR)上，在厚度方向(DT)上比包覆部(110)的凸出部分(110P)凸出，由固相状态的热塑性材料构成。
公开/授权文献
- CN104916601A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2015-09-16
IPC分类:
