Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置的制造方法
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Application No.: CN201410446963.4Application Date: 2014-09-03
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Publication No.: CN104716052BPublication Date: 2018-01-02
- Inventor: 后藤善秋 , 井本孝志 , 渡部武志 , 高野勇佑 , 赤田裕亮 , 唐金祐次 , 冈山良德 , 柳田明彦
- Applicant: 东芝存储器株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 东芝存储器株式会社
- Current Assignee: 东芝存储器株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 张世俊
- Priority: 2013-258702 2013.12.13 JP
- Main IPC: H01L21/56
- IPC: H01L21/56

Abstract:
本发明提供一种提高利用溅镀法的导电性屏蔽层的形成性的半导体装置的制造方法。在实施方式的制造方法中,准备包括作为被处理物搭载于配线基板上的半导体芯片及密封树脂层的多个半导体封装体(20)、以及包括多个被处理物收纳部(22)的托盘(21)。在托盘(21)的多个被处理物收纳部(22)内分别配置半导体封装体(20)。对配置于被处理物收纳部(22)内的半导体封装体(20)溅镀金属材料,形成覆盖密封树脂层的上表面及侧面与配线基板的侧面的至少一部分的导电性屏蔽层。
Public/Granted literature
- CN104716052A 半导体装置的制造方法 Public/Granted day:2015-06-17
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IPC分类: