发明授权
- 专利标题: 单片接触系统和形成方法
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申请号: CN201410781888.7申请日: 2014-12-16
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公开(公告)号: CN104715940B公开(公告)日: 2019-03-15
- 发明人: M.纳亚克 , N.卡卡达 , S.蒂梅高达 , M.H.萨麦亚 , J.纳拉亚南 , L.Y.雅各布斯
- 申请人: 通用电气公司
- 申请人地址: 美国纽约州
- 专利权人: 通用电气公司
- 当前专利权人: ABB有限公司
- 当前专利权人地址: 美国纽约州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 严志军; 肖日松
- 优先权: 5861/CHE/2013 2013.12.16 IN
- 主分类号: H01H1/021
- IPC分类号: H01H1/021 ; H01H9/00 ; H01H11/04 ; H01H11/00 ; B22F7/06
摘要:
本发明公开一种具有单片结构的断路器和一种制作方法。所述单片结构包括具有铜的臂部分和具有复合材料的触点部分。所述复合材料具有金属基体和设置在所述金属基体中的第二相。制作所述单片结构的方法包括将第一粉末引入至模具的第一区域中,将第二粉末引入至所述模具的第二区域中,以及将所述第一粉末和所述第二粉末固结在一起。所述模具的第一区域对应于触点部分,并且所述第二区域对应于所述断路器的单片结构的臂部分。
公开/授权文献
- CN104715940A 单片接触系统和形成方法 公开/授权日:2015-06-17