本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制作方法，外延结构包括：依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、N型GaN层、超晶格结构、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层，P型GaN层为由第一子P型GaN层及第二子P型GaN层交替组成的周期性结构，第一子P型GaN层与第二子P型GaN层具有不同的Mg掺杂浓度分布。将GaN基LED外延结构内的P型GaN层设计为由具有不同Mg掺杂浓度分布的第一子P型GaN层及第二子P型GaN层交替组成的周期性结构，通过调整P型GaN层的Mg掺杂方式可以改变Mg的激化能量，从而提高了Mg的活化率，降低了P型GaN层的电阻率，进而达到降低GaN基LED正向电压的目的。