一种高亮度发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，在制作外延片的P‑GaP电流扩展层时，以镁为掺杂元素；在制作图形化接触点的同时，对接触点以外的P‑GaP电流扩展层表面采用湿法进行粗化处理，粗化深度为200～400nm；在具有图形化接触点的P‑GaP电流扩展层一面沉积材料为铟锡氧化物的透明导电薄膜后制作第一电极；在永久衬底GaAs的另一面制作第二电极。由于氧化铟锡透明薄膜具有良好的电流扩展能力，电极通过该氧化铟锡透明薄膜，再通过接触点将电流均匀注入到整个芯片表面，从而减小了电流在电极下方的积聚，减少了电流的无效注入，提升了产品的发光效率。