Invention Grant
- Patent Title: 用于多核处理器的可调谐多层次STT-MRAM高速缓存
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Application No.: CN201380042021.3Application Date: 2013-08-07
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Publication No.: CN104520838BPublication Date: 2018-01-16
- Inventor: S·H·康 , X·朱 , X·吴
- Applicant: 高通股份有限公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 高通股份有限公司
- Current Assignee: 高通股份有限公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 袁逸
- Priority: 13/571,426 2012.08.10 US
- International Application: PCT/US2013/054004 2013.08.07
- International Announcement: WO2014/025920 EN 2014.02.13
- Date entered country: 2015-02-06
- Main IPC: G06F15/78
- IPC: G06F15/78 ; G06F12/0893 ; G06F12/0806 ; G06F12/0811

Abstract:
给出了一种多核处理器。该多核处理器包括与该多核处理器的第一核相关联并且根据第一属性来调谐的第一自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)高速缓存、以及与该多核处理器的第二核相关联并且根据第二属性来调谐的第二STT‑MRAM高速缓存。
Public/Granted literature
- CN104520838A 用于多核处理器的可调谐多层次STT-MRAM高速缓存 Public/Granted day:2015-04-15
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