CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管

发明公开

CN104332404A CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管有权

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专利标题： CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管
专利标题（英）： Method for manufacturing bipolar transistor by use of CMOS technology, and bipolar transistor
申请号： CN201410499155.4

申请日： 2014-09-25
公开(公告)号： CN104332404A

公开(公告)日： 2015-02-04
发明人: 陈瑜
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
代理商 王江富
主分类号： H01L21/331
IPC分类号： H01L21/331 ; H01L29/73 ; H01L29/06

摘要：

本发明公开了一种CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管，双极型晶体管发射区不做金属硅化反应，通过屏蔽发射区的金属硅化反应，接触孔同发射区直接接触，通过调节发射区上的接触孔的密度即可调节发射区平均少数载流子浓度，调节基区扩散电流，最终调节双极型晶体管的电流增益。

摘要（英）：

The invention discloses a method for manufacturing a bipolar transistor by use of a CMOS technology, and a bipolar transistor. Metal silicide reaction is not performed on the emitter region of the bipolar transistor, through shielding the metal silicide reaction of the emitter region, contact holes are directly contacted with the emitter region, and simply by adjusting the density of the contact holes on the emitter region, the average concentration of the minority carriers in the emitter region can be adjusted, diffusion currents of a base region are adjusted, and the current gains of the bipolar transistor are finally adjusted.

公开/授权文献

CN104332404B CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管公开/授权日：2017-10-24

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328	....制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33	.....包括3个或更多电极的器件
H01L21/331	......晶体管