本发明公开了一种基于模拟的单晶叶片型壳局部加厚控制杂晶缺陷的方法，属于材料加工技术领域，本发明的技术方案为：本发明所述的对单晶叶片型壳局部加厚控制杂晶缺陷的方法通过建立基于数值模拟的计算机‑实验分析系统，获得模拟用准确的物性参数；通过分析定向凝固过程中叶片铸件的温度场分布，搜索凝固过程中出现的温度局部过冷孤立域；对叶片铸件温度局部过冷孤立域附近型壳进行逐层加厚，对叶片铸件散热较快位置进行保温，获得均匀水平的定向温度分布；采用型壳型芯一体化制造技术进行新改进型壳的生产制造，获得结构信息准确的单晶叶片型壳用于后续定向凝固浇注。本发明方法能够有效避免杂晶缺陷产生，提高产品合格率。