发明授权
- 专利标题： 金锡薄膜的制备装置和方法
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申请号： CN201410571421.X申请日： 2014-10-23
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公开(公告)号： CN104294218B公开(公告)日： 2016-06-08
- 发明人: 孙广伟 , 辛国锋 , 皮浩洋 , 封惠忠 , 于阿滨 , 蔡海文 , 瞿荣辉
- 申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
- 申请人地址： 上海市嘉定区上海800-211邮政信箱
- 专利权人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
- 当前专利权人地址： 上海市嘉定区上海800-211邮政信箱
- 代理机构： 上海新天专利代理有限公司
- 代理商 张泽纯; 张宁展
- 主分类号： C23C14/14
- IPC分类号： C23C14/14 ; C23C14/26
摘要：
一种金锡薄膜制备装置和方法，该装置包括蒸发室、公转轴、公转盘、固定轴、工件架、推杆、支撑架、滑槽、电极和蒸发舟，通过推杆的移动推动Au球和Sn球沿着滑槽滚动落到蒸发舟上从而实现AuSn薄膜的制备，本发明可以精确控制AuSn薄膜中Au和Sn的厚度和比例，得到的薄膜具有结构致密、成分分布均匀的特点，在半导体激光器封装领域具有很高的应用价值。
公开/授权文献
- CN104294218A 金锡薄膜的制备装置和方法 公开/授权日：2015-01-21
IPC分类:
