发明授权
- 专利标题: 波导结构及其制造方法
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申请号: CN201310346904.5申请日: 2013-08-09
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公开(公告)号: CN104216046B公开(公告)日: 2018-01-05
- 发明人: 曾俊豪 , 郭英颢 , 陈海清 , 包天一
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹
- 代理机构: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 孙征
- 优先权: 13/905,404 2013.05.30 US
- 主分类号: G02B6/122
- IPC分类号: G02B6/122 ; G02B6/13 ; G02B6/42
摘要:
本发明提供了形成波导结构的实施例。波导结构包括衬底,并且衬底具有互连区域和波导区域。波导结构还包括形成在衬底中的沟槽,并且沟槽具有倾斜的侧壁表面和基本平坦的底部。波导结构还包括形成在衬底上的底部覆层,并且底部覆层自互连区域延伸至波导区域,底部覆层充当互连区域中的绝缘层。波导结构还包括形成在倾斜的侧壁表面上的底部覆层上的金属层。本发明还提供了该波导结构的制造方法。
公开/授权文献
- CN104216046A 波导结构及其制造方法 公开/授权日:2014-12-17