发明授权
- 专利标题: 具有弯曲表面缺陷的垂直微腔
-
申请号: CN201380017471.7申请日: 2013-03-05
-
公开(公告)号: CN104205532B公开(公告)日: 2016-11-30
- 发明人: 丁飞 , A·W·科诺尔 , R·F·马特 , T·H·斯托福尔
- 申请人: 国际商业机器公司
- 申请人地址: 美国纽约
- 专利权人: 国际商业机器公司
- 当前专利权人: 国际商业机器公司
- 当前专利权人地址: 美国纽约
- 代理机构: 北京市中咨律师事务所
- 代理商 牛南辉; 于静
- 优先权: 1205550.5 2012.03.29 GB
- 国际申请: PCT/IB2013/051733 2013.03.05
- 国际公布: WO2013/144741 EN 2013.10.03
- 进入国家日期: 2014-09-28
- 主分类号: H01S5/183
- IPC分类号: H01S5/183 ; H01S5/10
摘要:
一种具有垂直于垂直轴z的层结构的垂直微腔(1),所述层结构包括:第一反射器(100)和第二反射器(200),每个包括一个或多个材料层(111‑131,211‑231)并且优选为布拉格反射器;分离所述第一反射器和所述第二反射器的约束层(10),其中,可以基本上限定电磁波,并且其中,所述约束层包括体(12)和缺陷(20),所述缺陷被第一表面(s1)和第二表面(s2)的两个表面划界,所述两个表面的每个垂直于所述垂直轴z,其中,所述两个表面的一个(s1)邻近所述体(12),所述两个表面的另一个(s2)邻近所述第一或者第二反射器的层(211),并且其中,所述两个表面的一个(s1)是弯曲的,以便至少在垂直于所述层结构的平面剖面((y,z),(x,z))上具有弯曲轮廓(21、21’、22),所述弯曲轮廓具有顶点(25),所述顶点限定所述缺陷在所述第一表面和所述第二表面之间、在所述平面剖面上的最大厚度h0,所述最大厚度h0小于所述邻近层(211)的厚度。
公开/授权文献
- CN104205532A 具有弯曲表面缺陷的垂直微腔 公开/授权日:2014-12-10