知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明公开
CN104143534A 半导体器件制造方法 有权

半导体器件制造方法
摘要：
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠；在衬底中进行掺杂形成源漏区；在源漏区上形成应力衬层；执行退火，激活源漏区中的掺杂剂，并同时提高应力衬层的致密性。依照本发明的半导体器件制造方法，在形成双应力衬层之后再进行退火以激活源漏区内掺杂剂，降低了NMOS区上张应力氮化硅衬层在dHF下刻蚀速率，避免了栅极两侧凹槽出现，提高了器件性能以及可靠性。
摘要（英）：

The invention discloses a semi-conductor device manufacturing method. According to the method, grid stacking is formed on a substrate; doping is carried out in the substrate so that source and drain regions can be formed; stress lining layers are formed on the source and drain regions; annealing is carried out, doping agents in the source and drain regions are activated, and meanwhile, compactness of the stress lining layers is improved. According to the semi-conductor device manufacturing method, after the double stress lining layers are formed, annealing is carried out, so that the doping agents in the source and drain regions are activated, the etching rate of a tensile stress silicon nitride lining layer on an NMOS region under dHF is reduced, grooves in the two sides of a grid are prevented and device performance and reliability are improved.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8238 ........互补场效应晶体管，例如CMOS
0/0