集成电路器件和制作技术

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专利标题： 集成电路器件和制作技术
专利标题（英）： INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND FABRICATION TECHNIQUES
申请号： CN201310699364.9

申请日： 2013-12-16
公开(公告)号： CN104103579A

公开(公告)日： 2014-10-15
发明人: J·H·张
申请人： 意法半导体公司
申请人地址： 美国得克萨斯州
专利权人： 意法半导体公司
当前专利权人： 意法半导体公司
当前专利权人地址： 美国得克萨斯州
代理机构： 北京市金杜律师事务所
代理商 王茂华; 张宁
优先权： 13/856,985 2013.04.04 US
主分类号： H01L21/768
IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/8254 ; H01L21/44 ; H01L27/11

摘要：

集成电路器件和制作技术。一种半导体器件制作方法可以包括在相同处理步骤中掺杂集成电路的衬底的第一和第二部分。第一部分对应于半导体器件的掺杂的区域。第二部分对应于过孔接触。该方法还可以包括在掺杂之后形成半导体器件的栅极。

摘要（英）：

Integrated circuit devices and fabrication techniques. A semiconductor device fabrication method may include doping, in a same processing step, first and second portions of a substrate of an integrated circuit. The first portion corresponds to a doped region of a semiconductor device. The second portion corresponds to a via contact. The method may further include, after the doping, forming the gate of the semiconductor device.

公开/授权文献

CN104103579B 集成电路器件和制作技术公开/授权日：2018-02-02

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/768	...利用互连在器件中的分离元件间传输电流