Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置及其制造方法
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Application No.: CN201380007460.0Application Date: 2013-01-24
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Publication No.: CN104094409BPublication Date: 2016-11-16
- Inventor: 宫本忠芳 , 伊东一笃 , 森重恭 , 宫本光伸 , 小川康行 , 中泽淳 , 内田诚一 , 松尾拓哉
- Applicant: 夏普株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 夏普株式会社
- Current Assignee: 夏普株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- Agent 龙淳
- Priority: 2012-018753 2012.01.31 JP
- International Application: PCT/JP2013/051417 2013.01.24
- International Announcement: WO2013/115051 JA 2013.08.08
- Date entered country: 2014-07-31
- Main IPC: H01L29/786
- IPC: H01L29/786 ; G02F1/1368 ; H01L21/336
Abstract:
半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
Public/Granted literature
- CN104094409A 半导体装置及其制造方法 Public/Granted day:2014-10-08
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IPC分类:
