Invention Publication
CN104078434A 半导体装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体装置
- Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE
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Application No.: CN201410066514.7Application Date: 2014-02-26
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Publication No.: CN104078434APublication Date: 2014-10-01
- Inventor: 铃木俊秀 , 佐藤优
- Applicant: 富士通株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 富士通株式会社
- Current Assignee: 富士通株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 王萍; 陈炜
- Priority: 2013-062777 2013.03.25 JP
- Main IPC: H01L23/485
- IPC: H01L23/485 ; H01L23/552

Abstract:
本公开涉及一种半导体装置。根据本公开的半导体装置包括形成在衬底上的第一电极,第一电极是第一电位;以及形成在第一电极上的第二电极,第二电极包括传送信号的信号配线和具有规定面积的平面电极部分。第一电极的与平面电极部分相对应的形状被制成狭缝形状,使得狭缝的纵向方向平行于信号在平面电极部分中前进的方向。
Public/Granted literature
- CN104078434B 半导体装置 Public/Granted day:2018-07-20
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IPC分类: