半导体装置

发明授权

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专利标题： 半导体装置
申请号： CN201410270158.0

申请日： 2007-07-09
公开(公告)号： CN104064457B

公开(公告)日： 2017-05-31
发明人: 周葆所 , 米尔扎菲尔·K·阿巴切夫 , 阿尔达万·尼鲁曼德 , 保罗·A·摩根 , 孟双 , 约瑟夫·格里利 , 布里安·J·科帕
申请人： 美光科技公司
申请人地址： 美国爱达荷州
专利权人： 美光科技公司
当前专利权人： 美光科技公司
当前专利权人地址： 美国爱达荷州
代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理商 王允方
优先权： 11/484,271 20060710 US
主分类号： H01L21/308
IPC分类号： H01L21/308 ; H01L21/311

摘要：

本发明涉及在半导体装置及包含半导体装置的系统形成期间使用交替间隔物沉积的间距减小技术。一种用于对层进行图案化的方法增加使用一系列自对准间隔物在初始图案化层上方形成的特征的密度。提供待蚀刻层，然后在所述待蚀刻层上方形成例如使用光学光刻形成的初始牺牲图案化层。视实施例而定，可修整所述图案化层，然后形成并蚀刻一系列间隔物层。间隔物层的数目及其目标尺寸取决于特征密度的所期望增加。还描述一种处理过程中的半导体装置及电子系统。

公开/授权文献

CN104064457A 在半导体装置及包含半导体装置的系统形成期间使用交替间隔物沉积的间距减小技术公开/授权日：2014-09-24

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/308	.......应用掩膜的（H01L21/3063，H01L21/3065优先）