发明公开
CN104054180A 具有调节高度的三维主体的半导体器件
无效 - 驳回
- 专利标题: 具有调节高度的三维主体的半导体器件
- 专利标题(英): Semiconductor Devices Having Three-dimensional Bodies With Modulated Heights
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申请号: CN201180075769.4申请日: 2011-12-21
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公开(公告)号: CN104054180A公开(公告)日: 2014-09-17
- 发明人: A·卡佩拉尼 , K·J·库恩 , R·里奥斯 , A·C·达维拉拉托雷 , T·加尼
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 韩宏; 陈松涛
- 国际申请: PCT/US2011/066544 2011.12.21
- 国际公布: WO2013/095443 EN 2013.06.27
- 进入国家日期: 2014-06-20
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L21/336
摘要:
描述了具有调节高度的三维主体的半导体器件和形成这样的器件的方法。例如,半导体结构包括具有设置在衬底之上的第一半导体主体的第一半导体器件。第一半导体主体具有第一高度和带有第一水平面的最上表面。半导体结构还包括具有设置在衬底之上的第二半导体主体的第二半导体器件。第二半导体主体具有第二高度和带有第二水平面的最上表面。第一和第二水平面是共平面的,且第一和第二高度是不同的。
IPC分类: