- 专利标题: 拼版蒸镀掩模的制造方法及由此所得拼版蒸镀掩模以及有机半导体元件的制造方法
- 专利标题(英): Method for producing step-and-repeat vapor deposition mask, step-and-repeat vapor deposition mask obtained therefrom, and method for producing organic semiconductor element
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申请号: CN201380005281.3申请日: 2013-01-11
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公开(公告)号: CN104053812A公开(公告)日: 2014-09-17
- 发明人: 广部吉纪 , 松元丰 , 牛草昌人 , 武田利彦 , 小幡胜也 , 西村佑行
- 申请人: 大日本印刷株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 大日本印刷株式会社
- 当前专利权人: 大日本印刷株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 刘晓迪
- 优先权: 2012-004488 2012.01.12 JP
- 国际申请: PCT/JP2013/050426 2013.01.11
- 国际公布: WO2013/105645 JA 2013.07.18
- 进入国家日期: 2014-07-11
- 主分类号: C23C14/24
- IPC分类号: C23C14/24 ; H01L51/50 ; H05B33/10
摘要:
本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的拼版蒸镀掩模的制造方法。配置于框体内的开口空间的多个掩模分别由设有缝隙的金属掩模、和位于该金属掩模的表面且纵横配置多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模构成,在其形成上,在所述框体上安装了各金属掩模及用于制作所述树脂掩模的树脂薄膜材料之后,通过对所述树脂薄膜材料进行加工,纵横地形成多个与要蒸镀制作的图案对应的开口部,制造上述构成的拼版蒸镀掩模。
公开/授权文献
- CN104053812B 拼版蒸镀掩模的制造方法及由此所得拼版蒸镀掩模以及有机半导体元件的制造方法 公开/授权日:2015-11-25
IPC分类: