发明授权
- 专利标题: 半导体装置及高侧电路的驱动方法
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申请号: CN201280062352.9申请日: 2012-12-04
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公开(公告)号: CN104025454B公开(公告)日: 2016-12-14
- 发明人: 赤羽正志
- 申请人: 富士电机株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 李玲
- 优先权: 2012-042568 2012.02.28 JP
- 国际申请: PCT/JP2012/081414 2012.12.04
- 国际公布: WO2013/128746 JA 2013.09.06
- 进入国家日期: 2014-06-17
- 主分类号: H03K17/0412
- IPC分类号: H03K17/0412 ; H03K17/0812 ; H03K17/26 ; H03K19/0185
摘要:
为了降低用于防止因构成半桥的高电位侧开关元件(XD1)的dV/dt噪声而导致误动作的电路中的信号传送的延迟,在输出用于驱动高电位侧开关元件的置位信号、复位信号的脉冲产生单元(40)中,在作为用于使高电位侧开关元件为导通状态或非导通状态的主脉冲信号的置位信号或复位信号中的任一方接通的期间,从该主脉冲信号的上升起经过一定时间后使另一方的信号接通,生成使置位信号及复位信号双方均接通的状态。
公开/授权文献
- CN104025454A 半导体装置及高侧电路的驱动方法 公开/授权日:2014-09-03
IPC分类: