本发明公开了一种BCD工艺中的隔离型横向齐纳二极管，包括N型深阱；N型区和P型区形成于由高压P阱和P阱所包围的第一有源区中、且分别由N和P型源漏注入区组成，N型区和P型区横向排列并相隔横向距离一，由N型区和P型区以及两者之间的掺杂区组成隔离型横向齐纳二极管的PN结，通过调节横向距离一调节隔离型横向齐纳二极管的击穿电压；低压N阱，形成于第一有源区外的N型深阱中，表面形成有由N型源漏注入区组成的N型深阱引出区。本发明还公开了一种BCD工艺中的隔离型横向齐纳二极管的制造方法。本发明器件工艺能够和BCD工艺良好的集成，不仅能够降低工艺成本，还能使整个集成电路的系统性能和可靠性得到提高。