发明授权
- 专利标题: 平衡垂直磁隧道结中的状态之间的能垒
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申请号: CN201180076063.X申请日: 2011-12-30
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公开(公告)号: CN104011862B公开(公告)日: 2017-07-18
- 发明人: C·C·郭 , B·S·多伊尔 , A·雷什欧迪伊 , R·戈利扎德莫亚拉德 , K·奥乌兹
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 陈松涛; 韩宏
- 国际申请: PCT/US2011/068158 2011.12.30
- 国际公布: WO2013/101203 EN 2013.07.04
- 进入国家日期: 2014-06-27
- 主分类号: H01L27/105
- IPC分类号: H01L27/105 ; H01L21/8239
摘要:
公开了用于通过在垂直磁隧道结(MTJ)中实施附加铁磁层来增强垂直磁隧道结的性能的技术。例如可以在垂直MTJ的固定铁磁层或自由铁磁层中或者附近实施附加铁磁层。在一些实施例中,借助非磁性间隔体实施附加铁磁层,其中,可以调整附加铁磁层和/或间隔体的厚度,以充分平衡垂直MTJ的平行状态和反平行状态之间的能垒。在一些实施例中,配置附加铁磁层以使得其磁化与固定铁磁层的磁化相反。
公开/授权文献
- CN104011862A 平衡垂直磁隧道结中的状态之间的能垒 公开/授权日:2014-08-27
IPC分类: