本发明公开了一种BCD工艺中的隔离型齐纳二极管，包括N型深阱，形成于半导体衬底上并用于实现隔离型齐纳二极管的隔离；P型区，包括叠加而成的高压P阱、P阱和P型基区；N型区，由形成于P型区表面上的N型源漏注入区组成，N型区底部和P型区接触并形成隔离型齐纳二极管的PN结；P型引出区，由形成于P型区表面上的N型源漏注入区组成；低压N阱，形成于N型深阱中并位于P型区外部，在低压N阱表面形成有由N型源漏注入区组成的N型深阱引出区。本发明还公开了一种BCD工艺中的隔离型齐纳二极管的制造方法。本发明器件工艺能够和BCD工艺良好的集成，不仅能够降低工艺成本，还能使整个集成电路的系统性能和可靠性得到提高。