发明公开
- 专利标题: 功率晶体管布置以及具有该布置的封装体
- 专利标题(英): Power transistor arrangement and package having the same
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申请号: CN201410046687.2申请日: 2014-02-10
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公开(公告)号: CN103985703A公开(公告)日: 2014-08-13
- 发明人: R·奥特雷姆巴 , J·赫格劳尔 , J·施雷德尔 , X·施勒格尔 , K·希斯
- 申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
- 申请人地址: 奥地利菲拉赫
- 专利权人: 英飞凌科技奥地利有限公司
- 当前专利权人: 英飞凌科技奥地利有限公司
- 当前专利权人地址: 奥地利菲拉赫
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华
- 优先权: 13/763,769 2013.02.11 US
- 主分类号: H01L25/07
- IPC分类号: H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L23/31 ; H01L23/367
摘要:
本发明的各种实施例提供一种功率晶体管布置,其可以包括:载体,至少包括主区域以及第一端子区域和第二端子区域,主区域、第一端子区域和第二端子区域相互电隔离;第一功率晶体管,具有控制电极、第一功率电极和第二功率电极,并且被布置于载体的主区域上,使得其第一功率电极面朝载体的主区域并且电耦合至载体的主区域;第二功率晶体管,具有控制电极、第一功率电极和第二功率电极,并且被布置于载体的端子区域上,使得其控制电极和其第一功率电极面朝端子区域,并且其控制电极电耦合至第一端子区域以及其第一功率电极电耦合至第二端子区域。
公开/授权文献
- CN103985703B 功率晶体管布置以及具有该布置的封装体 公开/授权日:2017-04-12
IPC分类: