本发明公开了一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，包括第一通道、第二通道。所述第一通道为等直径或变直径圆柱形通道，所通反应物气体为GaCl；所述第二通道位于第一通道中心位置，所通气体可以是N2也可以是GaCl与N2的混合气体；所述第二通道可以为一段圆柱形通道，也可由两段组成，上段为圆柱形，下段为圆台形或倒圆台形，两段相连处直径相等。本发明一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，通过最佳化两通道中气体流量大小，来改善反应物GaCl在衬底上方附近径向分布的均匀性，以满足较大面积衬底上GaN晶体材料均匀生长之需求。