本发明提供了一种增加发光效率的LED外延层生长方法及LED外延层，生长有源层MQW步骤为：生长InxGa1‑xN层和AlyGaN层，其中x＝0.15‑0.25，y＝0.10‑0.15，InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN周期数为5‑6；然后再生长InxGa1‑xN层和InyGa1‑yN，其中y＝0.05‑0.10，InxGa1‑xN/InyGa1‑yN的周期数为5‑6。将发光层量子阱垒层由原来的InGaN/GaN超晶格材料设计为第一InGaN/AlGaN超晶格和第一InGaN/第二InGaN超晶格的组合，提高电子和空穴在量子阱中的浓度，增加器件发光效率。