发明授权
- 专利标题: 浅沟槽隔离结构及其形成方法
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申请号: CN201310022495.3申请日: 2013-01-22
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公开(公告)号: CN103943621B公开(公告)日: 2019-08-13
- 发明人: 刘恩铨 , 曹博昭 , 梁家瑞 , 吴家荣
- 申请人: 联华电子股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区
- 专利权人: 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人: 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陈小雯
- 主分类号: H01L27/02
- IPC分类号: H01L27/02 ; H01L21/762
摘要:
本发明公开一种浅沟槽隔离结构及其形成方法,其浅沟槽隔离结构包含一上绝缘部与一下绝缘部,该下绝缘部包含一第一绝缘体以及位于该第一绝缘体周围的一绝缘层,该上绝缘部包含一第二绝缘体以及位于该第二绝缘体周围的一缓冲层,部分的该缓冲层中介于该第一绝缘体与该第二绝缘体之间,且该缓冲层的外周壁与该第一绝缘体的周壁齐平。
公开/授权文献
- CN103943621A 浅沟槽隔离结构及其形成方法 公开/授权日:2014-07-23
IPC分类: