发明公开
- 专利标题: 激光退火设备和方法
- 专利标题(英): Laser annealing device and method
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申请号: CN201210533375.5申请日: 2012-12-12
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公开(公告)号: CN103862169A公开(公告)日: 2014-06-18
- 发明人: 蔡博修
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 邹姗姗
- 主分类号: B23K26/066
- IPC分类号: B23K26/066 ; H01L21/268
摘要:
本发明公开了对晶片热图进行补偿的激光退火设备及其方法。一种激光退火设备包括:由多个泵浦激光源组成的泵浦激光源阵列,每个泵浦激光源各自发射泵浦激光;发射退火激光的退火激光源;以及可调掩模片。可调掩模片在经过泵浦激光照射后受激,变得透射退火激光的至少一部分。由此,通过将热图转换为可调掩模片对退火激光的透射率并最终转换为每个泵浦激光源的功率,实现热图补偿的激光退火。在一个优选实施例中,泵浦激光源阵列、退火激光源和可调掩模片同轴布置,并且可调掩模片旋转经过间隔一定角度固定布置的泵浦激光源阵列和退火激光源的照射,由此实现对整幅热图甚至整个晶片进行连续补偿的激光退火。
公开/授权文献
- CN103862169B 激光退火设备和方法 公开/授权日:2016-08-10
IPC分类: