Invention Grant
CN103862042B 一种激光直接成形超细柱状晶定向生长的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种激光直接成形超细柱状晶定向生长的方法
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Application No.: CN201410060634.6Application Date: 2014-02-21
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Publication No.: CN103862042BPublication Date: 2016-04-27
- Inventor: 张安峰 , 李涤尘 , 张海洋 , 齐宝路 , 师博飞
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 朱海临
- Main IPC: B22F3/105
- IPC: B22F3/105 ; C30B11/00

Abstract:
本发明公开了一种激光直接成形超细柱状晶定向生长的方法,其特征在于,采用定向凝固基板加热方式,同时在工艺上采用小功率、小的单层提升量,控制激光直接成形柱状晶定向生长,解决了激光直接成形定向凝固技术中存在的部分柱状晶定向生长不连续或转向生长的问题。采用基板加热的方式,虽然适当降低了激光熔池内的温度梯度,但依然控制柱状晶定向生长区间保持足够大的正温度梯度,满足柱状晶生长所需的过冷度。而且基板加热使熔池温度升高,熔池的表面张力减小,整个熔池形态更加平铺,更有利于柱状晶的生长。为激光直接成形制备不同尺寸和形状的定向凝固组织的金属零件提供了技术基础。
Public/Granted literature
- CN103862042A 一种激光直接成形超细柱状晶定向生长的方法 Public/Granted day:2014-06-18
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