发明授权
- 专利标题: 闪存存储器的感测放大器
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申请号: CN201210498724.4申请日: 2012-11-29
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公开(公告)号: CN103854698B公开(公告)日: 2017-05-31
- 发明人: 陈毓明 , 黄科颖
- 申请人: 华邦电子股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾台中县大雅乡科雅一路8号
- 专利权人: 华邦电子股份有限公司
- 当前专利权人: 华邦电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾台中县大雅乡科雅一路8号
- 代理机构: 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 冯志云; 吕俊清
- 主分类号: G11C16/06
- IPC分类号: G11C16/06 ; G11C16/02
摘要:
本发明公开了一种闪存存储器的感测放大器,其具有参考胞电流分支,在参考胞电流分支中,参考胞决定参考胞电流,行负载将参考胞电流转换为参考电压,而反馈电路则用以维持参考胞漏极电压。感测放大器也具有主要胞电流分支,在主要胞电流分支中,操作上从闪存记忆胞的阵列所选择的主要胞决定主要胞电流,行负载将主要胞电流转换为主要电压,而反馈电路则用以维持主要胞漏极电压。差动放大器比较参考电压与主要电压,并且相依于两者的相对值而在其输出提供逻辑电平。升压电路具有与行负载跨接的上拉部分以及具有与主要胞跨接且用以加速逻辑零感测时间的下拉部分。
公开/授权文献
- CN103854698A 闪存存储器的感测放大器 公开/授权日:2014-06-11