发明授权
- 专利标题： 半导体结构及其制造方法
-
申请号： CN201210417331.6申请日： 2012-10-26
-
公开(公告)号： CN103779229B公开(公告)日： 2016-12-21
- 发明人: 朱慧珑 , 尹海洲 , 骆志炯
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京汉昊知识产权代理事务所
- 代理商 朱海波; 何平
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L29/10
摘要：
本发明提供了一种半导体结构，包括衬底墙(240)以及源/漏区，其中，所述栅堆叠位于所述基底区(100)之上，所述基底区(100)由支撑结构(131)支撑于所述衬底(130)之上，其中所述支撑结构(131)的侧壁截面为内凹的曲线形；在所述基底区(100)两侧边缘下方存在隔离结构(123)，其中，部分所述隔离结构(123)与所述衬底(130)相连接；在所述隔离结构(123)和所述支撑结构(131)之间存在空腔(112)；以及至少在所述基底区(100)和隔离结构(123)的两侧存在源漏区。相应地，本发明还提供了该半导体结构的制造方法。(130)、支撑结构(131)、基底区(100)、栅堆叠、侧
公开/授权文献
- CN103779229A 半导体结构及其制造方法 公开/授权日：2014-05-07
IPC分类:
