- 专利标题： 由冶金级硅或精炼冶金级硅制造基于硅的纳米颗粒的方法
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申请号： CN201280022365.3申请日： 2012-03-09
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公开(公告)号： CN103635612B公开(公告)日： 2017-07-11
- 发明人: V.莱森科 , J.克莱姆 , M.梅德加奥伊
- 申请人： 国立里昂应用科学学院 , 国家科学研究中心 , 阿波朗.索拉尔公司
- 申请人地址： 法国维勒班; ;
- 专利权人： 国立里昂应用科学学院,国家科学研究中心,阿波朗.索拉尔公司
- 当前专利权人： 国立里昂应用科学学院,国家科学研究中心伊恩斯公司
- 当前专利权人地址： 法国维勒班; ;
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 宋莉
- 优先权： 1151926 20110309 FR
- 国际申请： PCT/EP2012/054124 2012.03.09
- 国际公布： WO2012/120117 FR 2012.09.13
- 进入国家日期： 2013-11-08
- 主分类号： C25F3/12
- IPC分类号： C25F3/12 ; H01L33/34 ; B23H3/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明涉及通过基材(7)的电化学蚀刻来制造基于硅的纳米颗粒的方法，特征在于所述基材由冶金级硅或精炼冶金级硅制成，所述基材具有大于0.01%的杂质含量。
公开/授权文献
- CN103635612A 由冶金级硅或精炼冶金级硅制造基于硅的纳米颗粒的方法 公开/授权日：2014-03-12
