发明公开
- 专利标题: 发光元件
- 专利标题(英): Light-emitting element
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申请号: CN201280015574.5申请日: 2012-03-01
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公开(公告)号: CN103518268A公开(公告)日: 2014-01-15
- 发明人: 山崎舜平 , 濑尾哲史 , 下垣智子 , 大泽信晴 , 井上英子 , 门间裕史 , 尾坂晴惠
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 李英
- 优先权: 2011-074272 2011.03.30 JP
- 国际申请: PCT/JP2012/055891 2012.03.01
- 国际公布: WO2012/132809 EN 2012.10.04
- 进入国家日期: 2013-09-27
- 主分类号: H01L51/50
- IPC分类号: H01L51/50
摘要:
提供一种具有25%左右的极高的效率的发光元件。发光元件包括包含磷光客体、n型主体及p型主体的发光层,发光层夹在含n型主体的n型层与含p型主体的p型层之间,并且在发光层中n型主体和p型主体可以形成激基复合物。在实现1200cd/m2的亮度的低驱动电压(2.6V)下,发光元件显示极高的发光效率(74.3lm/W的功率效率,24.5%的外部量子效率,19.3%的能量效率)。
公开/授权文献
- CN103518268B 发光元件 公开/授权日:2016-05-18
IPC分类: