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发明公开
CN103493236A 光电子器件和铜络合物作为掺杂材料以用于对层进行掺杂的应用 无效 - 撤回 转让

光电子器件和铜络合物作为掺杂材料以用于对层进行掺杂的应用
摘要：
在不同的实施例中提供一种光电子器件（500，600，700），所述光电子器件具有：湿法化学处理的空穴注入层（508）；和与湿法化学处理的空穴注入层（508）相邻的、掺杂有掺杂材料的附加层（510），其中掺杂材料具有铜络合物，所述铜络合物具有至少一个配位体，所述配位体具有根据式（I）的化学结构：（I），其中，E1和E2分别彼此无关地是下述元素的一种：氧、硫或硒，并且R选自：氢或者取代的或未取代的、枝化的、线状的或环状的碳氢化合物。
摘要（英）：

In various exemplary embodiments, an optoelectronic component (500, 600, 700) is provided, comprising: a wet-chemically processed hole injection layer (508); and an additional layer (510), doped with a dopant, adjacent to the wet-chemically processed hole injection layer (508), wherein the dopant comprises a copper complex comprising at least one ligand having the chemical structure according to formula (I): (I), wherein E1 and E2, each independently of one another, are one of the following elements: oxygen, sulphur or selenium, and R is selected from the group: hydrogen or substituted or unsubstituted, branched, linear or cyclic hydrocarbons.

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