发明授权
- 专利标题: 一种超材料及MRI磁信号增强器件
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申请号: CN201210093039.3申请日: 2012-03-31
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公开(公告)号: CN103367921B公开(公告)日: 2017-08-25
- 发明人: 刘若鹏 , 栾琳 , 郭洁 , 杨学龙 , 郭文鹏
- 申请人: 深圳光启创新技术有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市福田区香梅路1061号中投国际商务中心A栋18B
- 专利权人: 深圳光启创新技术有限公司
- 当前专利权人: 深圳光启高等理工研究院
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市福田区香梅路1061号中投国际商务中心A栋18B
- 代理机构: 深圳中一专利商标事务所
- 代理商 张全文
- 主分类号: H01Q15/00
- IPC分类号: H01Q15/00 ; A61B5/055
摘要:
本发明提供一种超材料,包括多个阵列排布的超材料单元,超材料单元由基板和附着在基板上的人造微结构组成,人造微结构为两个开口互相正对的开口谐振环结构,开口谐振环结构包括单开口谐振环和从单开口谐振环的两末端点分别向环内部螺旋延伸出的两条螺旋线,两条螺旋线互不相交且均不与单开口谐振环相交,螺旋线为圆形螺旋线或圆形螺旋线的衍生结构。该超材料具有高负磁导率,基于该高负磁导率超材料,本发明还提供一种MRI磁信号增强器件,MRI磁信号增强器件利用负磁导率超材料的磁导率为负这一特性,达到信号增强的效果。
公开/授权文献
- CN103367921A 一种超材料及MRI磁信号增强器件 公开/授权日:2013-10-23