发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
-
申请号： CN201210083156.1申请日： 2012-03-27
-
公开(公告)号： CN103367363B公开(公告)日： 2016-08-10
- 发明人: 殷华湘 , 马小龙 , 徐秋霞 , 陈大鹏
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3#
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3#
- 代理机构： 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所
- 代理商 陈红
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L21/8238
摘要：
本发明公开了半导体器件，包括：第一MOSFET；第二MOSFET；第一应力衬层，覆盖了第一MOSFET，具有第一应力；第二应力衬层，覆盖了第二MOSFET，具有第二应力；其中，第二应力衬层和/或第一应力衬层包括金属氧化物。依照本发明的高应力半导体器件及其制造方法，采用CMOS兼容工艺分别在PMOS和NMOS上选择性形成包含金属氧化物的应力层，有效提升了沟道区载流子迁移率，提高了器件性能。
公开/授权文献
- CN103367363A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2013-10-23
IPC分类:
