- 专利标题: 中孔二氧化硅粒子、用于制备中孔二氧化硅粒子的方法和含有中孔二氧化硅粒子的模制制品
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申请号: CN201180063022.7申请日: 2011-12-22
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公开(公告)号: CN103298740B公开(公告)日: 2015-07-29
- 发明人: 福冈步 , 矢部裕城 , 大久保达也 , 下岛敦 , 石井大贵
- 申请人: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人东京大学
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 松下电器产业株式会社,国立大学法人东京大学
- 当前专利权人: 松下电器产业株式会社,国立大学法人东京大学
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 陈平
- 优先权: 2011-035160 2011.02.21 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/079773 2011.12.22
- 国际公布: WO2012/114636 JA 2012.08.30
- 进入国家日期: 2013-06-27
- 主分类号: C01B37/00
- IPC分类号: C01B37/00
摘要:
本发明的目的是提供具有功能如低折射率(低n)、低介电常数(低k)和低热导率且也可以赋予模制制品更高的强度的中孔二氧化硅粒子。该中孔二氧化硅粒子各自包含核粒子,所示核粒子包含第一中孔,其中所述核粒子的外周被二氧化硅覆盖。优选地,在通过二氧化硅覆盖形成的所述二氧化硅覆盖的部分中设置小于所述第一中孔的第二中孔。所述的中孔二氧化硅粒子通过以下方式制备:将表面活性剂、水、碱、含有疏水性部分的添加剂和二氧化硅源混合从而制备表面活性剂复合二氧化硅粒子的表面活性剂复合二氧化硅粒子制备步骤,所述含有疏水性部分的添加剂包括用于增加要通过所述表面活性剂形成的胶束的体积的疏水性部分;和将所述二氧化硅源加入至所述表面活性剂复合二氧化硅粒子从而用二氧化硅覆盖每个核粒子的外周的二氧化硅覆盖步骤。可以抑制基体材料至所述中孔中的穿透。
公开/授权文献
- CN103298740A 中孔二氧化硅粒子、用于制备中孔二氧化硅粒子的方法和含有中孔二氧化硅粒子的模制制品 公开/授权日:2013-09-11