发明授权
- 专利标题: 分散有C粒子的Fe-Pt型溅射靶
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申请号: CN201180061229.0申请日: 2011-11-14
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公开(公告)号: CN103270554B公开(公告)日: 2016-09-28
- 发明人: 佐藤敦 , 荻野真一
- 申请人: 吉坤日矿日石金属株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 吉坤日矿日石金属株式会社
- 当前专利权人: 捷客斯金属株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王海川; 穆德骏
- 优先权: 2010-283567 2010.12.20 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/076147 2011.11.14
- 国际公布: WO2012/086335 JA 2012.06.28
- 进入国家日期: 2013-06-19
- 主分类号: G11B5/851
- IPC分类号: G11B5/851 ; C22C33/02 ; C23C14/34 ; G11B5/64 ; G11B5/65
摘要:
一种溅射靶,其为原子数的组成比由式(Fe100‑X‑PtX)100‑A‑CA(其中,A为满足20≤A≤50的数,X为满足35≤X≤55的数)表示的烧结体溅射靶,其特征在于,具有微细分散在合金中的C粒子,并且相对密度为90%以上。本发明的课题在于提供可以在不使用高价的同时溅射装置的情况下制作颗粒结构磁性薄膜、并且使溅射时产生的粉粒减少的、高密度的溅射靶。
公开/授权文献
- CN103270554A 分散有C粒子的Fe-Pt型溅射靶 公开/授权日:2013-08-28
IPC分类: