一种集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件，属于电子技术领域。本发明在传统集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR结构基础上集成一个低压MOS器件，通过所述低压MOS器件来限制内嵌SCR阳极注入的空穴电流，从而提高维持电压Vhold值，提高了器件在高压应用中的闩锁免疫能力；而且该新型结构相比于普通LDMOS器件而言，由于集成了SCR器件，其抗ESD能力得到增强；同时，本发明与Bipolar CMOS DMOS工艺兼容。