- 专利标题： 降低在沉积非晶碳膜时晶圆背面金属污染的方法
-
申请号： CN201310121487.4申请日： 2013-04-09
-
公开(公告)号： CN103219226B公开(公告)日： 2015-12-02
- 发明人: 朱亚丹 , 周军
- 申请人： 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
- 专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 陆花
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
本发明公开了一种降低在沉积非晶碳膜时晶圆背面金属污染的方法，该方法通过在沉积非晶碳膜前先对腔体用NF3清洗，之后通入O2的等离子体对腔体的杂质颗粒进行清除，最后通入C2H2和Ar混合气体进行薄膜沉积，使得加热盘表面形成一层非晶碳膜，将清洗时形成的AlxFy包裹起来，使晶圆进入腔体之后接触到的为非晶碳薄膜，从而降低晶圆背面金属污染程度，解决了晶圆背面金属污染的问题。
公开/授权文献
- CN103219226A 降低在沉积非晶碳膜时晶圆背面金属污染的方法 公开/授权日：2013-07-24
IPC分类:
