本发明公开了一种ZrB2-SiC(w)陶瓷原料的制备方法，以锆英石、B2O3、电极粉和SiO2微粉为主要原料，加入催化剂，以50～100MPa的压力压制成型并在保护气存在的条件下高温烧制而成。本发明用价格相对较低的原料来制备ZrB2-SiC(w)，解决了ZrB2价格昂贵、强度低和韧性差的问题；采用原位合成方法，SiC(w)在ZrB2基体中分布均匀，解决SiC(w)难分散的问题；通过引入1-3%的催化剂和控制工艺参数来调控SiC(w)的形貌，可制备出满足不同需求的陶瓷原料；本发明所制备的ZrB2-SiC(w)原料的重量百分比大于97%，使其易于工业化应用。本发明工艺相对简单，烧结炉容积大，易于规模化生产。