发明授权
- 专利标题: 一种多晶硅除硼的方法
- 专利标题(英): Method for removing boron in polycrystalline silicon
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申请号: CN201310043612.4申请日: 2013-02-04
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公开(公告)号: CN103072993B公开(公告)日: 2014-07-09
- 发明人: 李伟生 , 龚炳生 , 叶文金
- 申请人: 福建兴朝阳硅材料股份有限公司
- 申请人地址: 福建省龙岩市上杭县南阳工业区
- 专利权人: 福建兴朝阳硅材料股份有限公司
- 当前专利权人: 福建兴朝阳硅材料股份有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省龙岩市上杭县南阳工业区
- 代理机构: 北京元中知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王明霞
- 主分类号: C01B33/037
- IPC分类号: C01B33/037
摘要:
本发明涉及一种多晶硅除硼的新方法,该方法包括以下步骤:将硅块装入中频感应炉石墨坩埚中加热,并熔化成硅液;向硅液中投入造渣剂,继续加热使造渣剂完全熔化,并保持硅液温度;所述造渣剂由NaCl、KCl与SiO2组成;将带有通气孔道的石墨棒预热,待预热充分后将通气棒插入到硅液中,开始通氧气;同时开启高压等离子发生器,在室温下将氧气通道中的氧气电离成氧离子并通过石墨棒注入硅液中;将得到的硅液注入保温炉中凝固,待硅锭冷却后,去除硅锭表面渣块。该方法可以有效减少渣量,减少因为渣中裹硅而造成的硅损失,降低提纯多晶硅的成本,提纯后的精制低硼多晶硅中硼的含量较低,除硼效果好。
公开/授权文献
- CN103072993A 一种多晶硅除硼的方法 公开/授权日:2013-05-01